时间：2025/8/1 16:27:15
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CS4N60A7HD是一款由COSMO SEMICONDUCTOR生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够在高频率下工作，从而提高系统效率并减小外围元件的尺寸。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8Ω（最大值2.2Ω）
栅极电荷（Qg）：约14nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：50W
CS4N60A7HD采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使得其在600V高压应用中依然能够保持较低的导通电阻，从而有效降低导通损耗。该器件的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中具有优异的动态性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，CS4N60A7HD具备良好的热稳定性和较高的耐用性，适用于各种恶劣工作环境。该MOSFET内置快速恢复二极管，进一步提升了其在反向电流应用中的性能。
其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热设计。CS4N60A7HD在设计上优化了雪崩能量耐受能力，确保在突发电压冲击下仍能保持稳定工作，提高系统的可靠性和使用寿命。
CS4N60A7HD广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、逆变器、电机驱动器、充电器、工业自动化控制系统、UPS不间断电源以及节能照明系统。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，该器件特别适合于需要高效率、高可靠性和紧凑布局的功率转换系统。
STP4NK60Z、FQP4N60、IRF730、CS4N65H4、CS4N60A7
