CS4N60A4R 时间：2025/5/24 10:28:13 阅读：13

CS4N60A4R是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于高电压和高频开关场景。该型号由知名半导体制造商生产，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。其设计优化了功率转换效率，并广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。
　　CS4N60A4R属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式，能够满足紧凑型设计的需求，同时提供出色的散热性能。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.0A
　　导通电阻：750mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：15nC（典型值）
　　总功耗：1.8W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

CS4N60A4R具备以下关键特性：
　　1. 高击穿电压：支持高达600V的工作电压，适合高压应用环境。
　　2. 低导通电阻：在额定条件下表现出较低的导通电阻，从而减少功率损耗。
　　3. 快速开关性能：低栅极电荷和输出电荷，有助于实现高频开关操作。
　　4. 紧凑封装：采用TO-252小型封装，节省PCB空间并提高散热效率。
　　5. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下稳定运行，适应各种工业和消费类应用场景。

应用

CS4N60A4R适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动：控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型电机的速度和方向。
　　3. 能量管理系统：如电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）中作为核心功率器件。
　　4. 工业自动化设备：如伺服驱动器和可编程逻辑控制器（PLC）。
　　5. 消费类电子产品：如家用电器中的功率管理模块。