CS4N60A4HD是一款由COSMO(韩国公司)生产的功率MOSFET晶体管,主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高效率电源系统等应用。这款MOSFET采用高密度沟槽式技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适合在高频率和高效率要求的电路中使用。CS4N60A4HD采用TO-252(DPAK)封装形式,便于散热,适用于表面贴装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
CS4N60A4HD具有较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,确保了优异的开关性能和热稳定性。
其高电流承载能力(高达80A)使其适用于大功率应用,如服务器电源、电信设备和工业控制系统。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许设计者使用标准的10V或12V栅极驱动电路,提高了设计的灵活性。
TO-252封装提供了良好的散热性能,确保在高功率密度环境下仍能稳定运行。CS4N60A4HD还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,从而提高高频应用中的效率。
此器件在制造过程中采用了严格的工艺控制,确保了产品的高可靠性和一致性。此外,CS4N60A4HD还具备良好的抗雪崩击穿能力,适合在需要高稳定性和耐用性的场合中使用。
CS4N60A4HD广泛应用于多种高功率电子设备中,包括但不限于:
? 服务器和通信设备的电源系统
? DC-DC转换器和同步整流电路
? 电池管理系统(BMS)和负载开关控制
? 电机驱动器和功率放大器
? 工业自动化和控制设备
? 太阳能逆变器和储能系统
? 电动工具和电动汽车的电源管理模块
SiHF60N80E、IPB080N06N、FDMS86180、IRF1405、TPH9R00CQH