类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：4A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω（最大值为3.2Ω）
　　栅极电荷(Qg)：13nC（典型值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

CS4N60 A4TDY 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，使其在高功率应用中表现出色。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，使得器件在高频开关应用中表现优异。CS4N60 A4TDY 采用TO-220封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。
　　此MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。其栅极驱动要求较低，能够兼容常见的驱动电路设计，简化了外围电路的设计复杂度。此外，CS4N60 A4TDY 在高温下仍能保持稳定的性能，适合用于高可靠性要求的工业和消费类电子产品中。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，CS4N60 A4TDY 常用于开关电源、马达控制、照明系统、电池管理系统和DC-DC转换器等应用。该器件的设计优化了高频操作下的性能，使其在现代高效能电源管理系统中具有广泛的适用性。

CS4N60 A4TDY 常用于以下应用场景：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、LED照明系统、电池管理系统、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。

FQP4N60C、IRFBC417PBF、STP4NK60Z、SiHP4N60CD