CS3N90FA9R是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种电源管理场景,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
CS3N90FA9R采用了先进的半导体制造工艺,在保持高可靠性和稳定性的同时,优化了动态特性和静态特性。其广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的领域。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.4mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:68W
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
CS3N90FA9R具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升整体效率。
2. 高电流处理能力,支持高达90A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,适合高频应用环境。
4. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应恶劣的工作环境。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
CS3N90FA9R可广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动电路,用于高效功率控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和功率分配。
6. 其他需要高效功率控制的电子系统。
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP18N06