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CS3N80FA9 发布时间 时间:2025/8/1 22:30:03 查看 阅读:23

CS3N80FA9是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)设计的高效能、高电压、低功耗的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该元件专为高功率密度和高效率的应用设计,广泛应用于电源转换系统、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等领域。CS3N80FA9采用先进的Trench MOSFET技术,具备低导通电阻(RDS(on))特性,能够在高电压条件下提供稳定的电流传输能力。该器件通常采用表面贴装封装,便于在现代电子设备中实现高密度布局。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源电压(VDS):800V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):3A
  导通电阻(RDS(on)):最大值2.2Ω
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220-3、D2PAK-3(具体封装可能因制造商而异)

特性

CS3N80FA9的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达800V,使其适用于高压电源系统的设计。该器件采用先进的Trench工艺技术,有效降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,CS3N80FA9具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,适用于对可靠性要求较高的工业和电源管理系统。其栅极驱动电压范围宽广,兼容标准逻辑电平驱动,便于与各种控制电路配合使用。在短路或过载情况下,该器件具备一定的耐受能力,有助于提高系统的稳定性。CS3N80FA9还具备较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关损耗,提高响应速度,从而适用于高频开关应用。此外,其封装设计具有良好的散热性能,能够有效将热量传导至PCB或散热片,确保长时间运行的稳定性。
  CS3N80FA9的另一个显著特性是其出色的可靠性。该器件通过了严格的工业级测试,具备良好的抗静电能力和抗浪涌能力,适用于各种恶劣的工作环境。其栅极氧化层经过优化设计,提升了器件的长期稳定性,降低了故障率。同时,CS3N80FA9的封装材料符合RoHS环保标准,支持绿色电子产品的设计要求。这些特性使其成为高压电源、工业控制、LED驱动、电池管理系统和智能电网等应用的理想选择。

应用

CS3N80FA9适用于多种高压和高效率的电力电子应用。在电源管理系统中,该器件常用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路中,以提高电源转换效率并减少能量损耗。在工业控制领域,CS3N80FA9可用于电机驱动、变频器和伺服控制系统,提供稳定的高压功率输出。此外,在LED照明驱动电路中,该器件可用于实现高效率的恒流驱动,适用于高亮度LED灯具的电源设计。CS3N80FA9也广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关器件。在智能家居和物联网设备中,该器件可用于智能开关、电源管理模块以及负载控制电路,实现高效的能量管理和智能控制。此外,CS3N80FA9还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制,确保电池组的安全运行。由于其具备良好的高频响应和低导通损耗,该器件也适用于高频开关电源和脉宽调制(PWM)控制器中。

替代型号

STW20NM80, FQP8N80C, IRF840, 2SK2143

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