CS3N80A3是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计,具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能。CS3N80A3采用先进的沟槽式MOSFET技术,优化了开关特性和导通损耗,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种功率电子系统。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热能力,适用于中高功率应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):2.8Ω(最大)
功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
CS3N80A3具有多项显著的技术特性,首先其800V的高漏源击穿电压(Vds)使其适用于高电压应用,如开关电源和高压负载控制。其次,该器件的导通电阻Rds(on)最大为2.8Ω,在同类产品中表现出色,有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,CS3N80A3具备良好的热稳定性,采用TO-252封装可有效散热,确保在高功率运行下的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,支持±30V的最大栅源电压(Vgs),使其在不同驱动电路中的兼容性更强。CS3N80A3的开关特性优化,具备较快的上升和下降时间,适合用于高频开关电路。此外,它还具有较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),有助于减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。CS3N80A3在高温环境下的性能稳定,可在高达150°C的结温下正常工作,确保在严苛工况下的可靠性。
CS3N80A3广泛应用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动和负载开关等。在开关电源中,CS3N80A3可作为主开关管使用,因其高耐压和低导通电阻特性,能有效提升电源转换效率。在DC-DC转换器中,该MOSFET适用于升降压变换器(Boost/Buck Converter)的开关元件,提供稳定高效的能量转换。此外,CS3N80A3还可用于LED照明驱动电路、工业自动化控制系统的功率开关,以及家电中的电机控制模块。
FQP8N80C, STF8NM80, IRF840