类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：400V
　　连续漏极电流(ID)：3A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值2.5Ω
　　栅极电荷(Qg)：10nC（典型值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功率耗散(PD)：50W
　　输入电容(Ciss)：120pF（典型值）

CS3N40A3H 具备多项优异的电气特性和可靠性，适用于各种高功率应用。首先，其400V的漏源电压能力使其能够适用于高电压环境，确保在高压条件下的稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻RDS(on)仅为2.5Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，其10nC的栅极电荷(Qg)值表明其具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
　　CS3N40A3H 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，可以在较高功率条件下保持稳定的温度控制。该封装形式也便于安装在标准散热器上，进一步提升散热效率。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性广泛，可在极端环境条件下正常运行。
　　该MOSFET的输入电容为120pF，较低的输入电容也有助于提升开关速度，并减少高频应用中的损耗。其功率耗散为50W，进一步增强了其在高功率密度设计中的适用性。这些特性共同构成了CS3N40A3H在高性能电源管理、DC-DC转换器和电机控制应用中的核心优势。

CS3N40A3H 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电池充电系统。其高电压耐受能力和较低的导通电阻使其在电源转换应用中表现优异，能够有效降低系统损耗并提高整体效率。
　　在电机控制领域，CS3N40A3H 可用于H桥驱动电路或电机调速控制模块，实现高效的功率控制。此外，它还可用于工业自动化设备、消费类电子产品以及新能源系统的电源管理模块。由于其良好的热稳定性和封装散热性能，CS3N40A3H 也适用于需要长时间运行的工业级设备，如不间断电源(UPS)、工业控制电源模块等。
　　由于其具备较高的耐压能力和较高的开关速度，CS3N40A3H 也可用于LED照明驱动电路、逆变器系统以及智能电网设备中，为各种高电压、高效率要求的应用提供可靠的功率开关解决方案。

FQP40N06L, IRF840, STP4NK50Z