CS3N20ATH 时间：2025/8/1 16:31:23 阅读：26

CS3N20ATH 是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统而设计，例如在DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中广泛应用。CS3N20ATH采用了先进的Trench沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了能效。这款MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高电流和高频率工作环境下使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　RDS(on)：最大值为2.0Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

CS3N20ATH的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）、高击穿电压、快速开关速度以及优异的热稳定性。其200V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压功率转换应用。在栅极驱动电压为10V时，RDS(on)的典型值为2.0Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　此外，CS3N20ATH具备快速的开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部电感和电容的尺寸，提升系统功率密度。该器件的TO-220封装设计有助于有效的热量管理，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　CS3N20ATH还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性。这种特性对于保护MOSFET免受电压尖峰损坏至关重要，尤其是在电机驱动和电感性负载切换等应用中。

应用

CS3N20ATH广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：在升压和降压转换器中作为主开关，用于实现高效的能量转换。
　　2. 电源管理：在多路输出电源、负载开关以及电池充电系统中用于控制电流流向。
　　3. 电机控制：在直流电机驱动器和步进电机控制器中作为功率开关元件。
　　4. 照明系统：在LED驱动电路中用于调节电流，确保稳定的光输出。
　　5. 工业自动化：在PLC和工业控制设备中用于高电压和高电流的开关控制。
　　6. 家用电器：在空调、洗衣机、微波炉等家电中用于功率调节和电机控制。