时间：2025/5/24 15:52:31
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CS3N120FA9R是一款高压、高频的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于碳化硅（SiC）基器件。该芯片利用先进的SiC技术，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于高效能电源转换、电机驱动和新能源领域。
CS3N120FA9R采用了沟槽式结构设计，能够显著降低器件的导通损耗和开关损耗，同时具备出色的热性能和可靠性，非常适合要求苛刻的应用场景。
额定电压：1200V
额定电流：9A
导通电阻：70mΩ（最大值）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：≥1200V
输入电容（Ciss）：460pF（典型值）
输出电容（Coss）：8.5pF（典型值）
开关频率：最高可达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，支持高达1200V的工作电压。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高温下也能保持优异的性能。
3. 快速开关速度，可实现高频操作，从而减小无源元件的体积。
4. 高效率，在硬开关和软开关应用中均可提供较低的总损耗。
5. 出色的热稳定性，能够在高温环境下长期运行。
6. 高可靠性和长寿命，适合工业级和汽车级应用。
1. 高频DC-DC转换器
2. 光伏逆变器
3. 电动汽车（EV）充电系统
4. 不间断电源（UPS）
5. 电机驱动和伺服控制器
6. 开关模式电源（SMPS）
7. 能量存储系统（ESS）
CMF20120D
FFSP15120T2
C2M0080120D
