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CS2N65FA9 发布时间 时间:2025/8/1 20:18:45 查看 阅读:25

CS2N65FA9 是一款由华润华晶微电子(华润微电子旗下公司)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适用于各类电源转换和功率控制应用。CS2N65FA9的漏源电压(VDS)为650V,适合用于中高功率开关电源、电机控制、逆变器和LED驱动等场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大连续漏极电流(ID):10A(在TC=25℃)
  最大导通电阻(RDS(on)):0.65Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220、TO-251、TO-252等常见功率封装

特性

CS2N65FA9 MOSFET具有以下显著特性:其先进的平面制造工艺确保了器件具有优异的导通性能和开关特性,导通电阻低至0.65Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  该器件的高耐压能力(650V VDS)使其适用于各种中高电压功率转换应用,具备较强的过载和瞬态电压承受能力。
  CS2N65FA9采用标准TO-220或TO-252封装,具备良好的散热性能,适合在较宽的温度范围内稳定工作(-55℃至+150℃),适用于工业级和消费类应用。
  此外,其栅极驱动电压范围较宽(±30V),可兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。该器件还具备良好的抗雪崩能力和可靠性,适用于高频开关应用,有助于提升系统稳定性和寿命。

应用

CS2N65FA9广泛应用于以下领域:电源适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电源等电力电子设备中,作为主开关或同步整流元件。
  在工业控制领域,CS2N65FA9可用于电机驱动、变频器、UPS不间断电源等系统中,实现高效的功率控制。
  此外,该MOSFET还可用于消费类电子产品如电视电源、充电器、智能家电等场合,满足高效、节能的设计需求。
  由于其高可靠性和良好的热性能,CS2N65FA9也适用于对稳定性要求较高的户外设备和工业自动化系统。

替代型号

建议替代型号包括:STP10NM65N(STMicroelectronics)、IRFGB40N650D1(Infineon)、FQA10N65C(Fairchild)、SGM60R150P(SGMICRO)等同类型650V N沟道MOSFET器件。

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