CS2N65B3K 是一款由COSMO(科索)公司制造的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件主要设计用于高效率功率转换应用,如电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器以及各种电源管理设备。这款MOSFET采用了先进的平面技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,使其在高负载条件下仍能保持良好的性能和稳定性。此外,CS2N65B3K具有高耐压特性,可承受高达650V的漏源电压(Vds),适合高压应用环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
最大功耗(Pd):50W
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
CS2N65B3K MOSFET的核心特性在于其高效的功率转换能力和稳定的电气性能。其低导通电阻(Rds(on))减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。该器件的高耐压能力(650V Vds)使其能够在高压环境下稳定运行,适用于多种工业和消费类电子设备。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性和过载能力,能够在高温条件下保持性能稳定,延长使用寿命。
另一个显著特点是其栅极驱动电压范围较宽,通常在10V左右即可实现完全导通,使得其与多种驱动电路兼容。这种灵活性增强了其在不同应用场景中的适应性。同时,CS2N65B3K采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,有助于在高功率条件下保持温度控制,降低热失效的风险。
CS2N65B3K MOSFET广泛应用于各种功率电子设备中。例如,在电源管理系统中,它可作为开关元件,用于实现高效的DC-DC转换或AC-DC整流。在LED照明系统中,CS2N65B3K可作为恒流驱动器的关键组成部分,确保LED的稳定运行和长寿命。此外,它还常用于电机驱动器、电池充电器以及各种高电压、低电流的开关电源设备中。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通损耗,CS2N65B3K在工业自动化设备、消费电子产品和通信基础设施中都有广泛的应用。
STP6NK60Z, IRFBC30, FQP6N60