CS2N60B3D 时间：2025/5/8 18:39:21 阅读：10

CS2N60B3D是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够有效提升系统的效率并降低能耗。
　　CS2N60B3D属于N沟道增强型MOSFET，其耐压值为600V，适用于高压环境下的各种电子电路设计。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大连续漏电流：3.5A
　　栅极阈值电压：4V
　　导通电阻：3.7Ω
　　总电荷：85nC
　　输入电容：1190pF
　　反向恢复时间：90ns

特性

CS2N60B3D具有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：600V的额定漏源电压使其能够在高电压环境下稳定运行。
　　2. 低导通电阻：仅为3.7Ω，在大电流条件下可显著减少功率损耗。
　　3. 快速开关性能：具备短反向恢复时间和低输入电容，适合高频应用。
　　4. 稳定性好：在高温或低温环境下均能保持优异的工作特性。
　　5. 小封装设计：有助于缩小整体电路尺寸，便于紧凑型设计。
　　6. 符合RoHS标准：绿色环保，无铅焊接工艺。

应用

CS2N60B3D广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换电路中，提供高效能量转换。
　　2. 电机驱动：作为功率级开关元件，控制电机的启动、停止及调速。
　　3. 逆变器：用于将直流电转化为交流电的应用场景。
　　4. PFC（功率因数校正）电路：提高电力系统的效率和稳定性。
　　5. 充电器：包括手机充电器、笔记本电脑适配器等便携式设备的电源管理部分。