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CS2N60A3R 发布时间 时间:2025/5/12 21:54:20 查看 阅读:25

CS2N60A3R 是一款高性能的 N 治道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高效率的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
  CS2N60A3R 的额定电压为 60V,具有出色的电气特性和可靠性,是设计高效功率转换电路的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:54nC
  总电容:180pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CS2N60A3R 具有以下显著特点:
  1. 额定电压高达 60V,适用于多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(2.9mΩ),可显著降低功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 紧凑型封装设计,便于集成到各种电子设备中。

应用

CS2N60A3R 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的功率控制。
  5. 太阳能逆变器和其他需要高效率功率转换的场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500NL

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