时间：2025/8/2 0:30:46
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CS25N06B3 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件设计用于高效率、高可靠性和低导通电阻的应用场合，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：25A
最大漏源电压 (VDS)：60V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：45mΩ @ VGS=10V
栅极电荷 (Qg)：38nC
功耗 (PD)：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
CS25N06B3 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 45mΩ，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 25A，适用于需要较高功率输出的场合。
CS25N06B3 的另一个重要特性是其高耐压能力，漏源电压最大可达 60V，使其适用于多种中高压电源管理应用。栅源电压范围为 ±20V，这使其在使用过程中具有较好的栅极驱动兼容性，可以与常见的 PWM 控制器或微控制器配合使用。
该器件的封装形式为 TO-220AB，这是一种常见的大功率封装形式，具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。此外，该封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升散热效率。
CS25N06B3 还具备较强的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
CS25N06B3 适用于多种功率电子系统，广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电池管理系统（BMS）以及各种电源管理电路。其高效率和低导通电阻的特性使其成为开关电源（SMPS）和电源模块中的理想选择。
在汽车电子领域，CS25N06B3 可用于车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电系统和电池管理系统等。此外，该器件还可用于工业自动化设备、电动工具、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用。
由于其高耐压和高电流能力，CS25N06B3 也常用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，如高性能笔记本电脑电源适配器、便携式储能设备和智能家居控制器等。
IRFZ44N, STP25NF06L, FDPF25N06, FQP25N06
