CS25N06 B4 时间：2025/8/1 16:30:36 阅读：14

CS25N06 B4是一款功率MOSFET，由Central Semiconductor制造，设计用于高电流和高效率的功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了在高电流应用中的功率损耗。CS25N06 B4的额定电压为60V，最大连续漏极电流为25A，适合需要高功率密度和高可靠性的应用。该MOSFET封装在TO-220AB或D2PAK封装中，便于散热和安装。CS25N06 B4广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和各种电源管理应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：25A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.024Ω（典型值为0.018Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220AB或D2PAK

特性

CS25N06 B4具备多种优良特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供更高的电流承载能力和更小的芯片尺寸，从而提高了功率密度。此外，CS25N06 B4具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路。CS25N06 B4还具备良好的短路耐受能力，增强了其在苛刻环境中的可靠性。其封装设计便于散热，确保在高功率应用中保持稳定的性能。最后，该MOSFET的开关速度较快，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电源管理模块。

应用

CS25N06 B4广泛应用于各种高功率电子设备中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统。此外，该MOSFET也常用于电源管理模块、工业控制系统、电动工具和电源适配器等设备中。由于其具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，CS25N06 B4非常适合用于需要频繁开关和高电流负载的应用。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。在可再生能源系统中，CS25N06 B4可用于太阳能逆变器和风能转换系统中的功率管理模块。此外，该MOSFET也可用于LED照明系统和电源管理IC的外围电路中。