时间：2025/8/1 20:12:15
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CS24N50ANHD是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件适用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统，特别是在开关电源（SMPS）、电机控制和负载开关等应用中表现出色。CS24N50ANHD采用高密度沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，能够在高电压和大电流条件下稳定运行。此外，该器件具有良好的热稳定性，适合用于高温环境下的电子系统设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：24A（在TC=25℃时）
脉冲漏极电流（IDM）：96A
导通电阻（RDS(on)）：0.17Ω（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-268（D2PAK）
功率耗散（PD）：180W
CS24N50ANHD采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其500V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，例如电源适配器、LED照明驱动器和工业电机控制。该器件的高电流能力（24A连续漏极电流）确保了在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，CS24N50ANHD具有良好的热性能，采用TO-268（D2PAK）封装，具备优异的散热能力，能够在高温环境下可靠工作。其±20V的栅源电压额定值增强了器件在高频开关应用中的稳定性，减少了因过电压而导致的损坏风险。
该MOSFET还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。这些特性使CS24N50ANHD成为高效率电源转换和工业控制应用的理想选择。
CS24N50ANHD广泛应用于各种高电压、高功率的电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动器、工业自动化控制系统以及电池管理系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性使其在这些应用中表现出色，能够满足高效能和高可靠性的要求。
IRF24N50A, FDP24N50, STF24N50, IXFN24N50
