时间：2025/4/30 10:05:44
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CS246C030PZ-TR01是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优势。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够满足紧凑型设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃至150℃
CS246C030PZ-TR01具备极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提升系统效率。同时，其高开关速度使其非常适合高频应用环境。此外，该器件还拥有出色的热稳定性和抗电磁干扰能力，能够在恶劣环境下保持可靠运行。
其DPAK封装不仅提供良好的散热性能，还能有效节省PCB空间。对于需要高效能和高可靠性的电力电子设备而言，CS246C030PZ-TR01是一个理想的选择。
该器件广泛应用于消费类电子产品中的适配器与充电器、工业控制中的开关电源模块、通信设备中的DC-DC转换电路以及汽车电子中的电机驱动场景。由于其卓越的性能表现，它还可用于新能源领域中的逆变器和储能系统等复杂应用。
CS246C030PZ-TR02, IRF3710, FDP030N06L
