CS20N65 时间：2025/8/2 1:14:16 阅读：8

CS20N65 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器以及各种高效率电源管理系统中。CS20N65 具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：650V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

CS20N65 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构设计，使得其导通电阻较低，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
　　该器件具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行，适用于高温环境下的应用。
　　其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于集成到多种功率系统中。
　　此外，CS20N65 的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提升了系统效率。
　　由于其高耐压能力和良好的短路承受能力，CS20N65 在电源转换器、逆变器和电机驱动系统中得到了广泛应用。

应用

CS20N65 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、LED 照明驱动电源、家用电器电源模块以及工业自动化控制系统中的功率开关单元。
　　在电动汽车和新能源系统中，CS20N65 也常被用于电池管理系统和充电模块中，以实现高效的能量转换和稳定的输出控制。
　　此外，该器件还适用于太阳能逆变器、电焊机、变频器等需要高耐压、大电流开关能力的场合。