CS20N60FA9R 是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,能够在高频率下工作,适合对效率和可靠性要求较高的系统。
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏极电流(ID):20A
最大漏源电压(VDS):600V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.18Ω
功率耗散(PD):30W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
CS20N60FA9R 具备多项优异的电气和热性能。首先,其600V的高耐压能力使其能够胜任高压环境下的开关应用。其次,该器件的导通电阻非常低,有助于降低导通损耗,提高系统整体效率。此外,CS20N60FA9R 采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使得其在高频工作条件下仍能保持稳定性能,减少开关损耗。
该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的散热能力,有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。其最大漏极电流为20A,能够在较大的负载条件下稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V,兼容大多数标准驱动电路。CS20N60FA9R 还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性,进一步提升了器件在复杂工况下的可靠性。
CS20N60FA9R 广泛应用于多种电源和功率控制场合,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动电路、工业控制设备、LED照明电源以及家电产品的功率开关模块。其高效率和高可靠性的特点使其成为众多中高功率系统设计中的优选器件。
FQA20N60C、IRFZ44N、STP20N60、FDPF20N60