CS2012X5R106K100NRE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 X5R 温度特性的贴片电容,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。该型号的命名方式包含了尺寸、材料、容量和耐压等关键信息。CS2012 表示其外形尺寸为 2012(公制),即 2.0mm x 1.2mm;X5R 表示其温度特性范围为 -55℃ 到 +85℃,且容量变化率在 ±15% 以内;106 表示标称容量为 10μF(10×10^6 pF);K 表示容量公差为 ±10%;100 表示额定电压为 100V。
外形尺寸:2.0mm x 1.2mm
容量:10μF
容量公差:±10%
额定电压:100V
温度特性:X5R (-55℃ to +85℃,容量变化 ≤ ±15%)
工作温度范围:-55℃ 至 +85℃
封装类型:表面贴装 (SMD)
介质材料:X5R 高温陶瓷
CS2012X5R106K100NRE 具备高可靠性和稳定的电气性能,特别是在宽温度范围内表现优异。
1. 温度特性优良:X5R 材料保证了电容在 -55℃ 到 +85℃ 的宽温度范围内,容量变化小于 ±15%,非常适合需要稳定性能的应用场景。
2. 高额定电压:100V 的额定电压使其能够在较高电压环境下使用,例如电源滤波和信号耦合电路。
3. 小型化设计:2012 尺寸使得该电容适用于对空间要求较高的紧凑型设计。
4. 低等效串联电阻 (ESR) 和低等效串联电感 (ESL):有助于减少高频噪声并提高效率。
5. 耐焊性良好:适合现代化的回流焊接工艺,确保生产过程中不会因高温而损坏。
该型号电容器适用于多种电子设备中的滤波、耦合、旁路和储能功能。
1. 滤波:用于开关电源、DC-DC 转换器等电路中,提供高频滤波能力。
2. 耦合与去耦:在音频放大器和射频电路中,作为信号耦合或电源去耦元件。
3. 旁路:用于处理器、微控制器和其他数字 IC 的电源输入端,以消除高频干扰。
4. 储能:在脉冲负载电路中,可以暂时储存能量以满足瞬时大电流需求。
5. 工业控制:用于电机驱动器、逆变器等需要高稳定性和高电压承受能力的场合。
C1608X5R1C106K125AA, GRM21BR61E106KA12L, KEMCAP-C2012X5R1C106K100NT