时间：2025/8/1 14:27:23
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CS1N65A3K是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能高密度超级结（SJ-MOS）功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的超级结技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如AC/DC适配器、充电器、服务器电源、LED照明电源和DC/DC转换器等应用领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.5A（@Tc=25℃）
功耗(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on) Max)：5.8Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-92
CS1N65A3K具有优异的导通和开关损耗性能，这得益于其采用的超级结结构技术，使得器件在高压应用中依然保持较低的导通电阻。此外，该MOSFET具备高雪崩能量承受能力和良好的短路稳定性，增强了其在严苛工作条件下的可靠性。
CS1N65A3K的封装设计紧凑，适用于高密度PCB布局，同时具有良好的散热性能，能够有效降低系统工作温度。其低栅极电荷（Qg）特性也有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体能效。
该器件的栅极氧化层设计经过优化，具备较强的抗过压和抗静电能力，从而提升了长期运行的稳定性和耐用性。CS1N65A3K的这些特性使其成为高效电源转换和功率控制应用的理想选择。
CS1N65A3K广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：高效AC/DC转换器、快充适配器、LED驱动电源、工业自动化设备、智能家电控制电路、太阳能逆变器、DC/DC变换器、PFC（功率因数校正）模块以及各种需要高压、高效率、高可靠性的功率控制场景。其优异的性能特别适合于需要轻载高效、高功率密度和高可靠性的现代电源管理系统。
SiHP054N65FD、FCH071N65S3、CS1N65A
