类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：1.2A（常温下）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.0Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS1N60 C3HD MOSFET采用先进的沟槽栅结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场景。CS1N60 C3HD的开关速度快，栅极电荷量（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源系统的响应速度。此外，其高耐压特性使其适用于600V级别的高压电路，如AC-DC电源、电机驱动和工业自动化设备。
　　在可靠性方面，CS1N60 C3HD具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路情况下提供一定的保护作用。同时，该器件的封装设计优化了热阻，提高了散热效率，确保在连续高负载条件下仍能维持较低的结温。CS1N60 C3HD的驱动门槛电压适中，兼容常见的10V和12V驱动电路，简化了外围驱动电路的设计。

CS1N60 C3HD常用于各类电力电子设备中，如AC-DC适配器、LED照明驱动电源、电池充电器、DC-DC转换器、电机控制电路以及工业自动化系统中的功率开关。由于其具备较高的电压耐受能力和较低的导通损耗，该器件也适用于光伏逆变器、电源管理系统（PSU）以及智能电网相关设备。在电机控制应用中，CS1N60 C3HD可以作为H桥的上桥或下桥开关，实现高效、可靠的电机驱动控制。

FQP1N60C、IRF1N60C、STP1N60C