类型：异步SRAM
　　容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：52-TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据总线宽度：8位
　　接口类型：并行
　　读取电流（最大）：100mA
　　待机电流（最大）：10mA

CS18LV02560BC-70 SRAM芯片具有多项优异性能，使其适用于广泛的工业和通信应用。其主要特性包括高速访问时间（70ns），可满足高性能系统对快速数据存取的需求。芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。低功耗设计在运行和待机模式下分别优化，使其适用于对能耗敏感的应用，如便携式设备和嵌入式系统。
　　该器件采用CMOS工艺制造，具有高抗噪性和稳定性，确保在复杂电磁环境中可靠运行。其异步接口设计简化了与微控制器、DSP和外围设备的连接，减少系统设计复杂度。TSOP封装不仅节省空间，还提供了良好的热稳定性和机械坚固性，适合高密度PCB布局。
　　此外，CS18LV02560BC-70支持全地址和数据总线控制，具备片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号，便于实现高效的读写操作。其工业级温度范围确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、网络设备、测试仪器和消费类电子产品。

CS18LV02560BC-70广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的系统中。典型应用包括嵌入式系统的数据缓存、工业控制设备、通信模块（如路由器和交换机）、测试与测量设备、便携式电子设备（如手持终端和智能仪表）以及汽车电子系统等。其灵活性和稳定性也使其成为通用SRAM扩展的理想选择。

CY62148EVLL-70E、CY62148EVALI-70E、IS61LV25616ALB4-70BLLI、IDT71V128SA70PFG