时间：2025/5/28 10:29:16
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CS13N50FA9R是一种高压、高功率的N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这种器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能开关的应用中。该型号以低导通电阻和快速开关速度为特点，同时具备出色的热稳定性和可靠性，适合在苛刻的工业和汽车环境中使用。
该芯片采用TO-263封装形式，具有良好的散热性能，并且可以处理较高的电流和电压等级。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：13A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=80ns, toff=45ns
结温范围：-55℃至+150℃
功耗：200W
CS13N50FA9R具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的工作电压，适用于各种高压应用环境。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为4.5Ω，在同级别产品中表现优异，降低了导通损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关性能：具有较短的开启和关断时间（分别为80ns和45ns），有助于减少开关损耗并提高工作效率。
4. 强大的电流承载能力：可支持高达13A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
5. 良好的热稳定性：通过优化设计，确保了芯片在高温条件下的可靠运行。
6. 封装优势：采用TO-263封装，不仅提供高效的散热性能，还简化了安装过程。
CS13N50FA9R适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场合。
2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器：太阳能逆变器以及其他电力转换设备。
4. 电池管理系统（BMS）：保护锂电池组免受过充、过放及短路的影响。
5. 汽车电子：如电动车窗、座椅调节以及引擎控制单元等应用。
6. 工业控制：例如PLC控制器、伺服驱动器等需要高性能开关的场合。
CS13N50FA9S, IRF540N, FDP17N50
