CS13N50F 时间：2025/8/1 22:48:10 阅读：11

CS13N50F是一款由华润微电子（CRMicro）生产的高性能N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高耐压、高效率和良好的热稳定性等特点。CS13N50F的封装形式为TO-220F，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：13A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.38Ω
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220F

特性

CS13N50F采用先进的沟槽型功率MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压可达500V，适合应用于高压系统中，具备良好的击穿电压裕量。该器件的栅极设计优化，具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在高频开关条件下稳定工作。
　　此外，CS13N50F采用了TO-220F封装，具备良好的散热能力，适用于需要较高功率耗散的应用场景。该封装还具备良好的绝缘性能，便于安装在PCB上，并能有效隔离热量，延长器件使用寿命。
　　该MOSFET具备快速开关特性，能够满足高频开关电源的设计需求，减少开关损耗并提升整体系统效率。同时，其优异的热稳定性使得在高温环境下依然能够保持稳定的性能，提升了系统的可靠性。

应用

CS13N50F广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动电源以及工业自动化控制设备等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高效率电源转换系统，例如在反激式和正激式电源拓扑结构中作为主开关器件。
　　在新能源领域，CS13N50F也可用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块等应用。其良好的热稳定性和高可靠性，使其在恶劣环境下依然能够保持稳定运行，是工业级应用的理想选择。
　　此外，由于其具备较高的栅极驱动兼容性，可与多种驱动IC配合使用，广泛应用于各种半桥和全桥拓扑结构的功率变换系统中。