您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CS13N50F

CS13N50F 发布时间 时间:2025/8/1 22:48:10 查看 阅读:7

CS13N50F是一款由华润微电子(CRMicro)生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高耐压、高效率和良好的热稳定性等特点。CS13N50F的封装形式为TO-220F,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):13A(在25℃)
  导通电阻(Rds(on)):≤0.38Ω
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-220F

特性

CS13N50F采用先进的沟槽型功率MOSFET技术,具备较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。其最大漏源电压可达500V,适合应用于高压系统中,具备良好的击穿电压裕量。该器件的栅极设计优化,具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够在高频开关条件下稳定工作。
  此外,CS13N50F采用了TO-220F封装,具备良好的散热能力,适用于需要较高功率耗散的应用场景。该封装还具备良好的绝缘性能,便于安装在PCB上,并能有效隔离热量,延长器件使用寿命。
  该MOSFET具备快速开关特性,能够满足高频开关电源的设计需求,减少开关损耗并提升整体系统效率。同时,其优异的热稳定性使得在高温环境下依然能够保持稳定的性能,提升了系统的可靠性。

应用

CS13N50F广泛应用于多种电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动电源以及工业自动化控制设备等。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高效率电源转换系统,例如在反激式和正激式电源拓扑结构中作为主开关器件。
  在新能源领域,CS13N50F也可用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块等应用。其良好的热稳定性和高可靠性,使其在恶劣环境下依然能够保持稳定运行,是工业级应用的理想选择。
  此外,由于其具备较高的栅极驱动兼容性,可与多种驱动IC配合使用,广泛应用于各种半桥和全桥拓扑结构的功率变换系统中。

替代型号

FQA13N50C, STF13N50M, IRF840, TK13A50D

CS13N50F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价