CS13N50 时间：2025/8/1 21:56:24 阅读：7

CS13N50 是一款由华润微电子（CR Micro）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.27Ω（最大值0.33Ω）
　　功率耗散（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

CS13N50 MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。
　　该器件具有高耐压能力，漏源击穿电压高达500V，适用于高压功率转换电路。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持±20V，增强了在复杂工作环境下的可靠性。
　　在热性能方面，CS13N50具有良好的热稳定性，封装设计有利于散热，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，该器件具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC变换器。
　　CS13N50还具有抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高压下保持稳定，提高了系统的整体可靠性。

应用

CS13N50广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
　　它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，实现高效的能量转换。
　　在DC-DC转换器中，CS13N50可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提高系统的转换效率。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路、电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）系统。
　　在工业控制和消费类电子产品中，如LED驱动电源、家电控制模块等，CS13N50同样具有良好的应用表现。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，CS13N50也可用于光伏逆变器、电焊机和电动汽车充电设备等新能源领域。