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CS12N60A8HD 发布时间 时间:2025/8/1 23:31:04 查看 阅读:12

CS12N60A8HD 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件采用高密度沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,适合在高电流、高频率的开关环境中使用。CS12N60A8HD 封装为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大连续漏极电流(ID):12A
  最大脉冲漏极电流(IDM):48A
  导通电阻(RDS(on)):0.45Ω @ VGS=10V
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
  最大栅极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-220

特性

CS12N60A8HD 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高系统效率,尤其适合高功率应用场景。器件采用先进的沟槽技术,提升了电流承载能力和热稳定性。
  该MOSFET具有高雪崩耐受能力,能够在突发电压冲击下保持稳定运行,增强了系统的可靠性。此外,其快速开关特性降低了开关损耗,适合高频工作环境。
  TO-220封装设计有利于散热,确保在高负载条件下的稳定运行。CS12N60A8HD 的高可靠性、低功耗和高效率使其成为电源转换、工业控制和电机驱动等应用的理想选择。

应用

CS12N60A8HD 主要应用于各类电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、逆变器和UPS系统等。其优异的导通和开关性能使其在高频率、高效率的电源设计中表现出色。
  此外,该器件也可用于工业自动化设备、电动工具、白色家电和工业控制系统中的功率开关和电流控制。由于其高可靠性和耐压能力,CS12N60A8HD 也适用于要求苛刻的工业和车载环境。

替代型号

TK12A60D, FQA12N60C, IRF840, STF12NM60N

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