CS1206JKNPOZBN471是一款基于氮化镓(GaN)技术的高频功率开关芯片,专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,能够显著提升系统的功率密度和能效表现。其封装形式紧凑,适合空间受限的应用场景,同时具备良好的散热性能。
该型号适用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器以及消费电子设备中的高效能源管理解决方案。通过结合低导通电阻和快速开关特性,CS1206JKNPOZBN471能够有效降低功耗并减少电磁干扰(EMI)。
最大额定电压:650V
导通电阻:47mΩ
栅极电荷:9nC
连续漏极电流:8A
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
切换频率:高达3MHz
静态功耗:典型值10μA
1. 采用增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,提供更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高达3MHz的工作频率,可大幅减小外部无源元件的尺寸,从而优化整体系统设计。
3. 内置过温保护和短路保护功能,确保运行可靠性。
4. 具备快速开关能力,能够有效降低开关损耗和热噪声。
5. 紧凑型封装,适合小型化和集成化的现代电子设备需求。
6. 提供优异的动态性能,在负载瞬态条件下保持稳定的输出。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 高频DC-DC转换器
3. USB-PD充电器和适配器
4. LED照明驱动电路
5. 工业自动化控制系统中的高效能源管理模块
6. 消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑及智能手机的快速充电解决方案
CS1206JKMPOZBN471
GaN Systems GS66516B
Transphorm TP65H050WS
EPC2016C