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CS10N70A0R 发布时间 时间:2025/5/14 17:00:14 查看 阅读:24

CS10N70A0R 是一款高性能的 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于高效率电源管理系统。
  这款 NMOS 场效应晶体管在高频应用中表现出色,并且能够承受较高的漏源电压。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计场景。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:10A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻:0.95Ω
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

CS10N70A0R 具有以下显著特点:
  1. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  2. 极低的导通电阻 Rds(on),降低了传导损耗,从而提高了系统效率。
  3. 快速开关性能,减少了开关损耗,非常适合高频功率转换应用。
  4. 紧凑型封装设计,节省了印刷电路板的空间。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

CS10N70A0R 广泛应用于需要高效功率转换和开关功能的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 电池充电器
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  7. 汽车电子系统中的功率管理部分

替代型号

IRF740C,
  STP10NK70Z,
  IXFN10N75T,
  FDP12N70,
  AOT294L

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