CS10N65FA9R 时间：2025/8/2 1:35:02 阅读：14

CS10N65FA9R 是一款由华瑞微（HARDC) 生产的高压、高速功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的平面工艺制造，具有优良的导通电阻和开关特性。该器件采用TO-220封装形式，适用于各种高频率、高效率的开关电源、DC-DC转换器、同步整流器等应用。CS10N65FA9R具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性，是工业控制、电源适配器、电机驱动等领域的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.55Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

CS10N65FA9R MOSFET 采用先进的平面工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性，能够在高压、高频率的环境下稳定工作。
　　其导通电阻低至0.55Ω，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率，适用于高效率电源设计。
　　该器件的漏源耐压高达650V，适合用于高电压开关电路，具有良好的抗雪崩能力和过载承受能力。
　　TO-220封装提供了良好的散热性能，便于安装和散热管理，适用于中高功率应用场景。
　　CS10N65FA9R 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关电源和PWM控制电路。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中可靠运行，适用于工业自动化、电源适配器、LED驱动电源、逆变器等多种应用场合。

应用

CS10N65FA9R 主要用于各类电源管理与功率控制电路中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、LED照明电源、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及智能电表等应用领域。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET特别适用于需要高效率、高稳定性的电源系统设计。
　　在开关电源中，CS10N65FA9R 可作为主开关器件用于功率转换环节，实现高效的能量传输。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于升压或降压拓扑结构，提高系统效率和稳定性。
　　在LED驱动电源中，CS10N65FA9R 可作为主控开关，提供稳定的电流输出，延长LED使用寿命。
　　在电机驱动应用中，该MOSFET可作为H桥开关，实现电机的正反转控制和调速功能。
　　此外，该器件也可用于逆变器中的功率转换环节，实现直流电到交流电的高效转换。