CS10N60T 时间：2025/8/1 12:17:29 阅读：6

CS10N60T是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由COSMO SEMICONDUCTOR生产。该器件设计用于高效率、高可靠性电源应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等。CS10N60T具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）的特点，使其在高功率密度应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压(Vds)：600V
　　最大栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.55Ω
　　最大功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

CS10N60T采用了先进的沟槽栅极技术和硅基工艺，提供优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS10N60T的高击穿电压（600V）确保了其在高电压应用中的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。其高热稳定性使其在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于恶劣工作条件下的应用。
　　CS10N60T还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。这一特性使其非常适合用于电机控制和逆变器等高动态负载应用。
　　另外，CS10N60T的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，确保器件在高功率工作时保持较低的温度，从而延长使用寿命。