CS10N60FA9R是一款高压MOSFET(金属适用于高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款芯片主要应用于需要高效能功率转换的场景,例如消费电子、工业控制和通信设备领域。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:10A
导通电阻:0.12Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
工作结温范围:-55℃ to +150℃
CS10N60FA9R具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:额定600V的漏源电压,适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为0.12Ω,减少了功率损耗。
3. 快速开关速度:低栅极电荷设计使其能够在高频下保持高效的性能。
4. 热稳定性强:支持宽泛的工作结温范围,从-55℃到+150℃,确保在极端环境下的稳定运行。
5. 小型化封装:优化了空间利用,便于集成到紧凑型设计中。
CS10N60FA9R广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换,提供高效的能量转换。
2. 电机驱动:适用于家用电器中的无刷直流电机驱动电路。
3. 工业逆变器:在光伏逆变器和其他工业电力转换设备中发挥关键作用。
4. 电池保护:为电池管理系统提供过流保护功能。
5. LED驱动:用于高亮度LED照明系统的恒流驱动电路。
IRFP460, STP10NK60Z, FDP18N60C