类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CS100N08A8具有出色的电气性能和热性能，能够承受较高的电流和功率负荷。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：该MOSFET的漏源击穿电压高达100V，使其适用于中高压功率转换应用。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)的典型值为8.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　3. 高电流容量：最大连续漏极电流可达80A，适合需要大电流驱动的场合，如电机驱动器或电源模块。
　　4. 优秀的热稳定性：TO-252封装提供了良好的散热能力，确保在高功率运行时的稳定性。
　　5. 高可靠性：经过严格测试，适用于工业级应用环境，具有较长的使用寿命和稳定的电气特性。
　　6. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　7. 宽工作温度范围：可在-55°C至175°C之间稳定工作，适应各种恶劣环境条件。

CS100N08A8广泛应用于多种功率电子系统中，主要用途包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于构建高效的AC-DC或DC-DC转换器，提供稳定的电源输出。
　　2. 电机驱动和控制：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供高电流驱动能力。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统等场合的充放电控制电路。
　　4. 逆变器和UPS系统：作为功率开关元件，实现高效的能量转换。
　　5. 工业自动化设备：用于PLC、伺服驱动器等工业控制系统中的功率控制部分。
　　6. LED照明驱动：用于高功率LED照明系统的恒流或恒压驱动电路。
　　7. 新能源领域：如太阳能逆变器、风力发电变流器等应用中作为核心功率开关器件。

SiHF100N08DY, STP80NF03L, FDP80N08A, IRF1404, AUIRF1404S