CS100N08 B8 是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各类电源转换和功率管理电路中。这款MOSFET由COSMO(科索)公司生产,具备高效率、低导通电阻以及良好的热稳定性等优点。CS100N08 B8 的封装形式通常为TO-220,适用于需要高电流和高电压耐受能力的应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):800V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):100A
导通电阻(RDS(on)):≤8.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(PD):约300W(取决于散热条件)
CS100N08 B8 的主要特性之一是其较低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该MOSFET的漏源电压高达800V,能够在高压环境中稳定工作。此外,CS100N08 B8 具有较高的电流承载能力,额定漏极电流为100A,使其适用于大功率应用。
这款MOSFET还具备良好的热稳定性和抗冲击能力,能够在较高的温度下正常工作,确保系统在恶劣环境下的可靠性。CS100N08 B8 的栅极驱动电压范围较宽,通常在10V至15V之间即可完全导通,这使得它能够与多种驱动电路兼容。
TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理,而且广泛应用于各种电源设计中。此外,CS100N08 B8 还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,提高电源转换效率。
CS100N08 B8 主要用于各种电源管理系统和功率转换设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及LED驱动电源等。由于其高电压和高电流特性,CS100N08 B8 非常适合用于工业电源、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及高功率LED照明系统。
在消费类电子产品中,CS100N08 B8 也常用于电源适配器、电池充电器以及电动工具等需要高效功率管理的场合。由于其良好的导热性能和高可靠性,CS100N08 B8 在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
IXFN100N80Q、SPW100N80S5-12