时间：2025/8/1 22:04:28
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CS100N03A4-G是一款由COSMO SEMICONDUCTOR制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏源电压：30V
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CS100N03A4-G采用先进的沟槽结构技术，能够实现极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，其热阻较低，有助于提高热稳定性并延长使用寿命。CS100N03A4-G还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于各种高要求的电源管理应用。该器件的封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热设计。
在栅极驱动方面，CS100N03A4-G支持常见的10V栅极驱动电压，同时具备较低的输入电容，有助于减少开关损耗。其开关性能优异，适用于高频开关应用，如同步整流、电源转换器等。此外，该器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，适合大规模工业和消费类电子产品使用。
CS100N03A4-G广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备。其优异的导通特性和高电流能力也使其适用于高性能电源供应器和电源管理模块。
Si4410BDY、IRF1010E、FDP6680、NTD4858N
