CS100N03 时间：2025/8/1 21:10:31 阅读：13

CS100N03是一款由CSystem公司推出的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关、电源管理、电机控制以及工业自动化等高电流、高电压应用中。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合在高效率和高可靠性要求的电路中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压(VDS)：30V
　　栅极-源极电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：100A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：3.0mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-263（D2Pak）、TO-220、PowerPAK 8x8等
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功耗(PD)：300W（最大值）

特性

CS100N03 MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻RDS(on)，仅为3.0mΩ，这使得该器件在大电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，显著提升系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构设计，优化了载流子的流动路径，从而提高了器件的开关速度和稳定性。CS100N03具备高耐压性能，漏极-源极击穿电压为30V，能够在高电压环境下稳定工作。其最大连续漏极电流可达100A，适用于高功率密度设计的应用场景。
　　该器件的封装形式多样，包括TO-263（D2Pak）、TO-220和PowerPAK 8x8等，能够满足不同散热需求和PCB布局要求。TO-263封装特别适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产；而TO-220封装则更适合插件式应用，具备更强的机械稳定性。此外，CS100N03具有宽泛的工作温度范围，从-55°C到175°C，确保了在极端环境条件下的可靠运行。
　　CS100N03还具备优异的热稳定性，最大功耗可达到300W，使其在高负载条件下依然能够保持良好的散热能力。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，降低了驱动电路的设计复杂度。综合来看，CS100N03是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高要求的功率电子系统。

应用

CS100N03广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和稳压器；电机控制和驱动电路，用于工业自动化设备和机器人系统；电池管理系统（BMS），用于电动汽车、电动工具和储能系统；逆变器和UPS系统中的功率开关器件；LED驱动电源以及各类高功率负载的开关控制。此外，该器件也常用于通信设备和服务器电源系统中，以提升整体能效和稳定性。