时间：2025/5/9 9:02:28
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CRXU30D120G3-G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于高频开关应用场合。其出色的电气性能和可靠性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：120V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ（典型值，VGS=10V）
总功耗(Ptot)：490W
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
CRXU30D120G3-G 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够在高电流应用中减少功率损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关速度，可支持高频操作，适合高频开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受能力。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 小尺寸封装，有助于节省 PCB 空间，简化设计布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
CRXU30D120G3-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电平转换。
3. 电机驱动控制，如家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
5. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
6. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
CRXU30D120G3-S, IRFZ44N, FDP18N12A
