CRXQ60M065G2Z 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该型号采用先进的制程工艺设计,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其封装形式为行业标准,便于安装和使用。
这款芯片特别适合需要高频切换和高效能量转换的应用场景。通过优化的栅极电荷设计,CRXQ60M065G2Z 可以提供更快的开关速度,同时降低功率损耗。
额定电压:650V
额定电流:60A
导通电阻:35mΩ
栅极电荷:90nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
CRXQ60M065G2Z 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高整体系统效率。
2. 高额定电压(650V),确保在高压应用场景下的稳定运行。
3. 快速开关能力,得益于优化的栅极电荷设计,适用于高频操作。
4. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),使其能够在极端环境下保持可靠性能。
5. 封装坚固耐用,符合行业标准,方便集成到各种电路设计中。
6. 提供卓越的抗干扰能力和电磁兼容性,确保在复杂环境中的稳定性。
CRXQ60M065G2Z 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电设备
5. 工业自动化设备
6. DC-DC 转换器
由于其出色的电气特性和可靠性,该芯片是许多高功率应用的理想选择。
CRXQ60M065G3Z
IRFP460
FQA60P06B