类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：95A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极电荷（Qg）：230nC（典型值）
　　短路耐受能力：600V/10μs
　　最大功耗：500W
　　输入电容（Ciss）：6000pF（典型值）

CRTT095N12N采用先进的碳化硅（SiC）半导体技术，使其在高压、高电流和高频应用中表现出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，SiC材料的高热导率和优异的热稳定性使得该MOSFET能够在高温环境下稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖。CRTT095N12N的快速开关特性显著降低了开关损耗，使得该器件非常适合用于高频率开关电路。其高击穿电压（1200V）和良好的短路耐受能力确保了在恶劣工况下的可靠运行。此外，该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷，有助于提高开关速度并降低驱动损耗。CRTT095N12N还具备优异的抗电磁干扰（EMI）性能，适用于对电磁兼容性要求较高的工业和汽车应用。整体而言，这款碳化硅MOSFET在性能、效率和可靠性方面均优于传统硅基器件，是高性能功率系统的理想选择。
　　

CRTT095N12N广泛应用于高功率和高效率要求的电力电子系统中，包括电动汽车（EV）充电器、车载充电系统、逆变器和电机驱动器。此外，该器件还适用于可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电系统）、工业电源、不间断电源（UPS）、储能系统以及高频率开关电源（SMPS）。其优异的高温稳定性和高耐压能力也使其成为电动汽车动力总成和直流快充设备的理想选择。CRTT095N12N还可用于电力输送和分配系统中的智能电网技术，以及需要高可靠性和长寿命的航空航天和军事应用。

C2M0025120D, SCT3045AL