时间：2025/8/1 20:36:28
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CRTT056N06N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。CRTT056N06N采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在60V工作电压下表现出色，能够在高频率下稳定运行，同时减少开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：5.6mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220、D2PAK（具体封装可能因制造商而异）
CRTT056N06N的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率；高电流承载能力确保在重载条件下仍能稳定工作；宽泛的温度适应范围使其在恶劣环境下也能保持良好性能；此外，该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗，提高系统响应速度。器件还具有良好的热稳定性，采用优化的封装设计以增强散热效果，适用于高功率密度设计。
CRTT056N06N的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种控制器或驱动器配合使用。其高可靠性和长寿命也使其在汽车电子、工业控制和消费类电源管理应用中广泛采用。
CRTT056N06N适用于多种功率电子系统，如同步整流器、Buck/Boost转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统、LED照明驱动器、服务器电源和UPS（不间断电源）。在汽车领域，该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和DC-DC变换器等应用场景。由于其高性能和高可靠性，它也广泛用于工业自动化、智能电网和新能源设备中。
SiR110DP-T1-GE3, NexFET CSD17501QPA, IRF6715PBF, IPW60R006S11
