时间：2025/4/30 13:51:27
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CRTT045N06N是一款基于沟槽MOSFET技术的超低电容ESD保护二极管阵列，适用于高速数据线的静电防护。该器件具有极低的电容特性，能够确保信号完整性的同时提供高效的静电放电（ESD）保护。其设计符合IEC 61000-4-2国际标准，能够在高速接口中保护敏感电子元件免受瞬态电压的损害。
该型号广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域，特别是对数据速率要求较高的场景。
工作电压：6V
最大箝位电压：13.4V
静态电流：1μA（典型值）
电容：0.4pF（典型值）
响应时间：1ns
峰值脉冲电流：1.4A
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN1006-2
1. 极低的负载电容（0.4pF），适合高速数据线路保护。
2. 快速响应时间（1ns），可有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的ESD防护性能，符合IEC 61000-4-2接触放电±8kV和空气放电±15kV的标准。
4. 小型化封装（DFN1006-2），节省PCB空间，适合便携式设备。
5. 单向极性设计，便于电路布局和应用。
6. 环保无铅设计，符合RoHS规范。
1. USB 3.0/3.1高速数据接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等多媒体接口的ESD防护。
3. 蓝牙、Wi-Fi和其他无线通信模块的射频端口保护。
4. 消费类电子产品中的高速信号线防护。
5. 工业自动化设备中的敏感数字输入输出端口保护。
6. 汽车电子系统的高速CAN总线和FlexRay总线保护。
PESD2V8S1BA, SM712, CDSOD125L
