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CRTT045N06N 发布时间 时间:2025/4/30 13:51:27 查看 阅读:5

CRTT045N06N是一款基于沟槽MOSFET技术的超低电容ESD保护二极管阵列,适用于高速数据线的静电防护。该器件具有极低的电容特性,能够确保信号完整性的同时提供高效的静电放电(ESD)保护。其设计符合IEC 61000-4-2国际标准,能够在高速接口中保护敏感电子元件免受瞬态电压的损害。
  该型号广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域,特别是对数据速率要求较高的场景。

参数

工作电压:6V
  最大箝位电压:13.4V
  静态电流:1μA(典型值)
  电容:0.4pF(典型值)
  响应时间:1ns
  峰值脉冲电流:1.4A
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DFN1006-2

特性

1. 极低的负载电容(0.4pF),适合高速数据线路保护。
  2. 快速响应时间(1ns),可有效抑制瞬态电压尖峰。
  3. 高度可靠的ESD防护性能,符合IEC 61000-4-2接触放电±8kV和空气放电±15kV的标准。
  4. 小型化封装(DFN1006-2),节省PCB空间,适合便携式设备。
  5. 单向极性设计,便于电路布局和应用。
  6. 环保无铅设计,符合RoHS规范。

应用

1. USB 3.0/3.1高速数据接口保护。
  2. HDMI、DisplayPort等多媒体接口的ESD防护。
  3. 蓝牙、Wi-Fi和其他无线通信模块的射频端口保护。
  4. 消费类电子产品中的高速信号线防护。
  5. 工业自动化设备中的敏感数字输入输出端口保护。
  6. 汽车电子系统的高速CAN总线和FlexRay总线保护。

替代型号

PESD2V8S1BA, SM712, CDSOD125L

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