时间：2025/5/20 10:58:09
阅读：27
CRTT029N06N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于多种功率转换应用，如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
这款 MOSFET 的电压等级为 60V，适合在中低压系统中使用。其封装形式通常为行业标准的表面贴装或通孔封装，便于在各种电路板设计中集成。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
CRTT029N06N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 出色的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
4. 小型化封装选项，有助于节省 PCB 空间。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
CRTT029N06N 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动器中的功率转换与控制。
3. 各种工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的直流电机控制。
5. LED 照明驱动中的高效功率管理。
6. 电池管理系统中的充放电保护与均衡控制。
CRTT032N06N, IRFZ44N, FDP18N6S
