时间：2025/8/1 16:58:57
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CRTS095N12N 是一款由 Cree（科锐）公司生产的碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。这款晶体管基于宽禁带半导体技术，具备高效率、高耐压和低导通损耗等特点，非常适合用于高功率密度和高工作频率的电力电子应用。该器件的型号中，“CR”代表Cree，“TS”表示Trench肖特基（Trench Schottky）结构，“095”表示导通电阻（RDS(on)）为95mΩ，“N12N”表示其额定电压为1200V，并采用N沟道增强型MOSFET结构。
类型：SiC MOSFET
封装类型：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：95mΩ
栅极电荷(Qg)：230nC
最大工作温度：150℃
短路耐受能力：有
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
安装类型：通孔
封装尺寸：约15.8mm x 10.1mm x 4.6mm
认证标准：RoHS、REACH
CRTS095N12N 采用碳化硅材料制造，具备优异的热导性能和更高的工作温度耐受能力，使得该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。此外，SiC MOSFET的导通电阻较低，同时具备极低的开关损耗，这对于提高功率转换效率至关重要。
CRTS095N12N 的结构设计优化了开关性能，使其在硬开关和软开关应用中都能保持优异表现。与传统的硅基MOSFET或IGBT相比，该器件具有更高的开关速度，减少了开关损耗，从而提高了系统的整体效率。
该器件还具备良好的短路耐受能力，可在发生短路故障时提供额外的安全裕度，从而提高系统的可靠性。此外，CRTS095N12N 具有较高的击穿电压（1200V），适用于高电压输入的功率转换器、逆变器和电机驱动系统。
在热管理方面，该器件的封装设计优化了散热路径，降低了热阻，使得热量可以更有效地传导到散热器上，从而延长了器件的使用寿命。
CRTS095N12N 广泛应用于需要高效能、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括电动车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、储能系统、工业电机驱动、UPS（不间断电源）、电力牵引变流器以及高功率开关电源（SMPS）等。
由于该器件具备高耐压、低导通损耗和高开关频率能力，因此特别适合用于需要高频工作的拓扑结构，如LLC谐振转换器、相移全桥（PSFB）拓扑以及软开关逆变器等。此外，在新能源汽车和可再生能源系统中，CRTS095N12N 能够显著提升系统效率和功率密度，减少冷却系统的负担，从而降低整体系统成本。
C3M0075120K、SiC MOSFET 1200V 75mΩ TO-247-4L；C2M0160120D、SiC MOSFET 1200V 160mΩ TO-247AC；CRD1200HD120F、SiC MOSFET模块1200V 120A
