时间：2025/6/18 9:03:25
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CRTQ240N20N 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率晶体管。该器件采用常关型设计，适用于高频、高效能开关电源和DC-DC转换器等应用。其封装形式通常为TO-247或DFN8，具体视制造商而定。由于其高电子迁移率和低导通电阻特性，CRTQ240N20N 能够显著提高系统效率并减少热损耗。
这款芯片主要特点在于其出色的开关性能和耐高压能力。与传统硅基MOSFET相比，它能够在更高的频率下运行，并保持较低的开关损耗，非常适合现代电力电子设备对紧凑性和效能的要求。
额定电压：200V
连续漏极电流：24A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：55nC
反向恢复时间：无（因为是GaN器件）
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
CRTQ240N20N 拥有以下突出特性：
1. 高击穿电压和低导通电阻使其在硬开关和软开关拓扑中表现出色。
2. 极低的输出电容和栅极电荷，进一步降低了开关损耗。
3. 快速开关速度，支持高达数兆赫兹的工作频率。
4. 热稳定性好，在高温环境下依然能够维持良好的性能。
5. GaN 技术的应用使其具备更小的尺寸和更高的功率密度。
6. 内置ESD保护功能，增强了系统的可靠性。
CRTQ240N20N 广泛应用于各类高频功率转换场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和USB-PD充电器。
2. DC-DC转换器，特别是在电信和服务器电源中。
3. 无线充电设备中的功率级控制。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
5. 电动工具和轻型电动车驱动控制器。
6. 工业自动化设备中的电源管理模块。
这些应用都得益于其高效率、高频特性和紧凑的设计。
CRGQ240N20N, STG240N20GA, Infineon GA240N20
