类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：63A
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为10.5mΩ（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：双D2PAK
　　热阻（Rth(j-c)）：典型值为0.35K/W
　　短路耐受能力：支持
　　符合标准：RoHS、无铅

CRTM063N04L具有多项卓越特性，首先是其低导通电阻，典型值仅为10.5mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备优异的高温稳定性，可在高达175°C的环境温度下稳定工作，特别适合高功率密度应用。
　　此外，CRTM063N04L采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能和机械稳定性，增强了器件的可靠性。其双D2PAK封装设计允许并联使用，从而进一步提升电流处理能力，适用于需要高电流输出的应用场景。
　　该MOSFET模块还具备较强的短路耐受能力，能够在极端工况下保持稳定运行，减少了系统设计时对额外保护电路的依赖。其高栅极阈值电压（VGS(th)）也增强了器件的抗干扰能力，降低了误导通的风险。
　　值得一提的是，CRTM063N04L通过了AEC-Q101认证，确保其在汽车和工业应用中的长期可靠性和稳定性。同时，该器件符合RoHS和无铅标准，符合环保要求。

CRTM063N04L广泛应用于需要高可靠性和高效率的功率电子系统中，特别是在电动汽车和混合动力汽车的逆变器、DC-DC转换器以及车载充电系统中表现优异。此外，它也适用于可再生能源系统如太阳能逆变器、风力发电变流器、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）以及高功率密度的开关电源（SMPS）等场景。

CRTM080N04L、CRPAK-N04S、CRMD060N04L