时间：2025/8/1 13:19:05
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CRTM055N03LE 是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用先进的GaN-on-SiC技术制造，具有优异的导通和开关性能。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用设计，例如服务器电源、电信电源系统以及可再生能源转换系统等。与传统硅基MOSFET相比，CRTM055N03LE在功率密度、效率和热管理方面表现出色。
类型：增强型氮化镓FET
漏源电压（VDS）：100 V
漏极电流（ID）：5.5 A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：32 mΩ（最大）
栅极电压范围：0 V至6 V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：表面贴装，TO-263（D2PAK）
功耗（PD）：4.3 W
封装尺寸：约10.29 x 9.14 mm
CRTM055N03LE 采用氮化镓材料和碳化硅衬底，使其在高频开关应用中具有极低的开关损耗和出色的热性能。该器件的导通电阻低至32 mΩ，支持更高的电流处理能力并减少导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，其增强型结构（常关型）设计确保了器件在栅极无驱动信号时处于关闭状态，提高了系统的安全性和可靠性。
该晶体管的封装采用TO-263（D2PAK）形式，具备良好的热管理能力和高可靠性，适合在高功率密度设计中使用。器件的栅极驱动电压范围为0 V至6 V，兼容标准的栅极驱动电路，便于在各种电源设计中集成。此外，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
由于其氮化镓材料的特性，CRTM055N03LE 在高频应用中表现出更低的开关损耗，适用于开关频率高于传统硅基MOSFET的电路设计。这使得该器件成为谐振转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器和AC-DC电源模块的理想选择。
CRTM055N03LE 广泛应用于需要高效率、高频开关和高功率密度的场合。典型应用包括服务器和电信设备的高效电源供应器、工业电源系统、LED照明驱动器、光伏逆变器、车载充电系统以及高频DC-DC转换器。由于其优异的热性能和低导通电阻，该器件也适用于需要紧凑布局和高效能的嵌入式电源设计。
GS61004B, EPC2023, LMG5200
