类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：45A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs时为0.75mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN5x6或类似

CRTM045N03L2P MOSFET具备多项优异的电气和热性能，使其在多种电源应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在4.5V栅极驱动电压下，Rds(on)最大仅为0.75mΩ，这使得其在低电压大电流应用中表现尤为出色。
　　其次，CRTM045N03L2P具有高电流承载能力，连续漏极电流可达45A，适用于高功率密度的设计。此外，该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电场分布，提高了击穿电压稳定性，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
　　在热性能方面，CRTM045N03L2P采用了高效的散热封装设计，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，延长使用寿命并提升系统稳定性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工作环境。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，进一步提升了系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提升整体系统的响应速度和动态性能。

CRTM045N03L2P MOSFET由于其高性能特性，广泛应用于多个领域。其中包括：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器、电源管理单元（PMU）以及服务器和通信设备的电源模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电池管理系统和电机控制模块，提供高效稳定的功率控制解决方案。
　　此外，CRTM045N03L2P也可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和储能系统等应用，满足对高效率和高可靠性的需求。其紧凑的封装设计也使其适用于空间受限的设计环境，如便携式电子设备和嵌入式系统。

SiR452DP-T1-GE3, SQM45N03-15L, FDMF6830CSD