类型：功率MOSFET模块
　　拓扑结构：双N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A（每个MOSFET）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：3mΩ（典型值）
　　封装类型：双列直插式陶瓷封装（DIP-CT）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　热阻（Rth）：0.35K/W（结到壳）

CRTM030N04L具有多个显著特性，首先其采用的高集成度封装技术使得该模块能够在极端温度条件下稳定工作，最高工作温度可达+175°C，这使其非常适合用于高温环境下的功率转换和控制应用。其次，该模块内部集成了两个高性能N沟道MOSFET，每个MOSFET的最大连续漏极电流可达180A，能够满足高功率密度系统的设计需求。
　　此外，CRTM030N04L采用了低导通电阻（Rds(on)）技术，典型值仅为3mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该模块还具备良好的热管理能力，热阻（Rth）仅为0.35K/W，有助于将热量快速传导至散热器，提升模块的长期可靠性。
　　在封装方面，CRTM030N04L使用了陶瓷双列直插式（DIP-CT）封装结构，这种封装不仅具备优异的电气绝缘性能，还能提供良好的机械强度和长期稳定性，特别适合用于汽车和工业应用中的恶劣工作环境。同时，该模块符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车级应用，具备较高的质量和可靠性。

CRTM030N04L广泛应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电子系统中。例如，在电动汽车和混合动力汽车中，该模块可用于DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动系统，以实现高效的能量转换和管理。在工业领域，该器件可用于高功率电源模块、伺服驱动器、储能系统以及高频开关电源（SMPS）等应用场景。
　　由于其出色的高温耐受性能和优异的热管理能力，CRTM030N04L也非常适用于高温环境下的电力电子设备，如太阳能逆变器、风能变流器以及工业自动化控制系统中的高功率开关模块。此外，该模块还可用于高功率车载充电系统、充电桩以及工业级不间断电源（UPS）系统，以提升系统的整体效率和稳定性。

CRPAK030N04L