时间：2025/8/1 19:40:57
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CRTD360N10L 是一款由 Central Semiconductor 生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等高性能需求的场合。
类型：MOSFET
沟道类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：6.8mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
引脚数：3
CRTD360N10L MOSFET 采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其低导通电阻特性使得该器件在高电流应用中表现出色，适用于需要高效能和低功耗的系统设计。
该器件具有高达 30A 的连续漏极电流能力，适用于高功率密度设计。其 100V 的漏源电压额定值确保了在高压环境中的稳定运行，适用于各种电源管理和电机控制应用。
此外，CRTD360N10L 采用了 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热性能，能够在高功率条件下保持较低的温升，提高系统的可靠性和稳定性。该封装形式也便于在 PCB 上安装和散热设计，适用于自动化生产和高密度电路设计。
器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于极端温度环境下的稳定运行，广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
CRTD360N10L 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统、高功率电源模块和工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻特性使其在高效能电源转换系统中表现优异，能够满足高要求的应用场景。
IRF3710, FDP3632, SiR340DP, IPD360N10L
